什么是载流子的产生_什么是载流子的扩散漂移运动

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...及其在有机发光领域中的应用”专利,有效提升器件中的载流子传输平衡本发明提供的化合物是以咔唑基团为主体结构,引入大共轭取代基团,这种大共轭平面结构有利于载流子的传输,使得分子整体的性能得到有效的提升。当将本发明的化合物用作有机电致发光器件中,特别是发光层材料时,可以有效提升器件中的载流子传输平衡,从而确保器件获得高发光效率是什么。

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...精确控制载流子复合区域且避免了制造成的半导体器件产生较大的漏...在所述漂移层的形成过程中,在所述漂移层中的预定区域掺杂重金属;和/或在所述第二导电类型的外延层的形成过程中,在所述第二导电类型的外延层中的预定区域掺杂重金属。根据本发明的制造方法可以精确控制载流子复合区域,且避免了制造成的半导体器件产生较大的漏电流且制造成小发猫。

TCL科技申请载流子迁移率的检测装置及检测方法专利,专利技术能达到...光源用于照射待测材料以产生光生载流子,测量机构用于对待测材料施加电压以使光生载流子在第一电极与第二电极之间迁移,并使导电衬底与待测材料之间形成电场以将在第一电极与第二电极之间迁移的载流子调控为预设类型,以及获取光生载流子的渡越时间,所述检测装置具有检测成等我继续说。

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TCL科技申请载流子迁移率的测量装置和测量方法专利,大大提高了测量...金融界2024年3月1日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“载流子迁移率的测量装置和测量方法“公开号CN117630615A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本申请公开了一种载流子迁移率的测量装置和测量方法,测量装置包括基板、第一电极、第等我继续说。

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台基股份申请载流子隔离的高压半导体器件专利,提高器件间参数均匀...金融界2023年12月15日消息,据国家知识产权局公告,湖北台基半导体股份有限公司申请一项名为“一种载流子隔离的高压半导体器件“公开号CN117238916A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本发明的名称是一种载流子隔离的高压半导体器件。属于功率半导体器件技术领域。它好了吧!

京东方A取得新专利,以改善载流子注入不平衡问题以改善现有技术的发光器件存在载流子注入不平衡的问题。所述发光面板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板一侧的至少两层电极层,位于两层所述电极层之间的发光层;至少一层所述电极层在面向所述发光层的一侧具有界面修饰层,所述界面修饰层包括:稠环结构,连接于所述稠环结构背离小发猫。

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TCL科技申请发光二极管专利,能实现对第一载流子功能层的钝化在底电极上形成第一载流子功能层;将形成有第一载流子功能层的底电极置于发光材料溶液中,向发光材料溶液中设置预处理电极,预处理电极位于第一载流子功能层的远离底电极的一侧,将底电极和预处理电极分别与电源的两极电连接,通电,对第一载流子功能层进行电处理,得到经过电处理等我继续说。

京东方A取得显示面板专利,改善现有技术无法实现对载流子功能层进行...所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者的载流子功能层;所述发光层具有多个出光波段不同的发光部;所述载流子功能层具有与所述发光部对应的载流子功能部,所述载流子功能部具有分子链,所述分子链由含有功能基团的单体经光照发生交联形成。本文源自金融界

...申请背接触电池及其制造方法专利,提高非烧穿型电极的载流子收集能力用于提高非烧穿型电极的载流子收集能力。所述背接触电池包括半导体基底、表面钝化层、第一电极和第二电极。表面钝化层覆盖在半导体基底的背光面一侧、且设有导电窗口,导电窗口的底部露出部分第一区域。第一电极和第二电极形成在背光面一侧。至少部分第一电极在背光面上好了吧!

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...制备方法与光伏组件专利,透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为100cm天合光能股份有限公司取得一项名为“薄膜及制备方法、太阳电池及制备方法与光伏组件“授权公告号CN116487448B,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,本发明公开了一种透明导电氧化物薄膜及制备方法、太阳电池及制备方法与光伏组件。透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为后面会介绍。

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