什么是载流子迁移率_什么是载流子

TCL科技申请载流子迁移率的测量装置和测量方法专利,大大提高了测量...金融界2024年3月1日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“载流子迁移率的测量装置和测量方法“公开号CN117630615A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本申请公开了一种载流子迁移率的测量装置和测量方法,测量装置包括基板、第一电极、第等我继续说。

TCL科技申请载流子迁移率的检测装置及检测方法专利,专利技术能达到...金融界2024年3月15日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“载流子迁移率的检测装置及检测方法“公开号CN117705768A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本申请提供了一种载流子迁移率的检测装置及检测方法,检测装置包括:导电衬底、设置于好了吧!

...制备方法与光伏组件专利,透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为100cm天合光能股份有限公司取得一项名为“薄膜及制备方法、太阳电池及制备方法与光伏组件“授权公告号CN116487448B,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,本发明公开了一种透明导电氧化物薄膜及制备方法、太阳电池及制备方法与光伏组件。透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为说完了。

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京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管及显示面板专利,使得载流子迁移率...的载流子迁移率高于所述第二半导体层(1022)的载流子迁移率;所述金属氧化物半导体层(102)包括下表面(102a)、上表面(102b)以及侧表面(102c),所述源极(103)与所述侧表面(102c)和上表面(102b)接触;至少在所述侧表面(102c)与所述源极(103)或所述漏极(104)接触的区域包括位于所述第等我继续说。

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长鑫存储申请半导体结构制作方法专利,提高半导体结构载流子的迁移率在第一沟槽中形成氧化物半导体层,氧化物半导体层与保留的初始有源层接触连接;刻蚀部分氧化物半导体层和保留的初始有源层,以形成沿第一方向和第二方向阵列排布的有源结构;第一方向垂直于所述基底表面,第二方向平行于所述基底表面。可以提高半导体结构载流子的迁移率。本文后面会介绍。

天合光能获得发明专利授权:“薄膜及制备方法、太阳电池及制备方法...透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为100cm2/V·S~170cm2/V·S,所述透明导电氧化物薄膜的材料为过渡金属掺杂的氧化铟材料,其中,过渡金属包括锡、钨、铈、钼、锆、钛、铪、锌以及锰中的一种或几种。太阳电池包括上述的透明导电氧化物薄膜。上述透明导电氧化物薄膜的制备等我继续说。

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中兵红箭:金刚石半导体材料尚未达到产业化推广的门槛条件金融界5月17日消息,有投资者在互动平台向中兵红箭提问:董秘您好,贵司中南钻石官网显示:"中南钻石有限公司半导体级金刚石单晶产品具有禁带宽度大、电子饱和速度高、载流子迁移率大、相对介电常数小、抗辐射损伤能力强等优势,可用于半导体、探测器、量子传感等前沿技术领域等我继续说。

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中广核技:在半导体器件领域,公司与中国中车有少量业务合作金融界10月23日消息,中广核技在互动平台表示,公司生产的电子加速器目前主要用于材料改性及消毒灭菌,在半导体器件领域,公司与中国中车有少量业务合作,主要通过电子束辐照改变半导体器件的电子迁移率和载流子浓度,从而影响半导体的导电性能和响应速度。该业务占公司整体业务还有呢?

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