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晶方科技取得光学指纹识别芯片封装结构及其制作方法专利,能够实现...金融界2024年9月15日消息,天眼查知识产权信息显示,苏州晶方半导体科技股份有限公司取得一项名为“光学指纹识别芯片的封装结构及其制作方法“授权公告号CN108321215B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示,本发明揭示了一种光学指纹识别芯片的封装结构,包括:芯片,所述芯还有呢?

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福建兆元光电取得一种 LED 芯片的反射层制作方法专利,提高 LED ...金融界2024 年9 月13 日消息,天眼查知识产权信息显示,福建兆元光电有限公司取得一项名为“一种LED 芯片的反射层制作方法“授权公告号CN115327855B,申请日期为2022 年8 月。专利摘要显示,本发明公开了一种LED 芯片的反射层制作方法,在制作反射层时,先使用光刻胶进行小发猫。

成都思鸿维申请一种CAN通信芯片系统、制作方法和电子设备专利,...金融界2024年9月10日消息,天眼查知识产权信息显示,成都思鸿维科技有限责任公司申请一项名为“一种CAN通信芯片系统、制作方法和电子设备“公开号CN202411045292.0,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请实施例提供一种CAN通信芯片系统、制作方法和电子设备,涉及小发猫。

北京时代民芯申请一种用于传感器芯片的高平面度粘片结构制作方法...金融界2024 年9 月10 日消息,天眼查知识产权信息显示,北京微电子技术研究所,北京时代民芯科技有限公司申请一项名为“一种用于传感器芯片的高平面度粘片结构的制作方法“公开号CN202410531018.8,申请日期为2024 年4 月。专利摘要显示,本发明公开了一种用于传感器芯片是什么。

...时代民芯申请“一种用于大尺寸传感器芯片高平面度粘片结构的制作...本发明公开了一种用于大尺寸传感器芯片高平面度粘片结构的制作方法,包括:在芯片粘接区均匀涂抹助焊剂,将定位球放置在芯片粘接区;将限位片按照设计规定位置进行贴装,将定位球与芯片粘接区进行焊接;将焊接后得到的器件进行清洗和烘干,将助焊剂清洗干净,随后剥离限位片;在设计后面会介绍。

扬杰科技取得避免打火现象的高压碳化硅产品专利,避免芯片打火现象...本实用新型中沟槽刻蚀区可以和对准标记图形同一层光刻板制作,不增加工艺复杂度和制造成本。芯片边缘刻蚀沟槽使得P 区注入结深增加,在器件反向加压测试时时,使得背面电极的等势面不再划片道表面,由于刻蚀形成的深PN 结在反向耗尽时,其电场梯度几乎全部转移到耗尽区内,划片后面会介绍。

芯动联科取得一种微机电系统三轴加速度传感器芯片和制作方法专利,...金融界2024 年9 月4 日消息,天眼查知识产权信息显示,安徽芯动联科微系统股份有限公司取得一项名为“一种微机电系统三轴加速度传感器芯片和制作方法“授权公告号CN112255432B ,申请日期为2020 年11 月。专利摘要显示,本申请提供一种微机电系统三轴加速度传感器芯片和还有呢?

...专利授权:“一种特殊表面金属化的中大功率半导体器件及制作方法”金属片电极通过第二焊料与芯片电连接。本发明还公开了一种特殊表面金属化的中大功率半导体器件的制作方法。本发明使得半导体功率芯片表面的窗口之间的距离可以自由调节,在获得较好的热耗散、较低的封装电阻与寄生电感的同时,提高了产品的良率。今年以来新洁能新获得专利等我继续说。

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...器件及其制作方法专利,能够防止正导电支架占用 LED 芯片的放置空间本发明公开了一种LED器件及其制作方法。该LED器件包括:载板、设置于载板上的正导电支架和负导电支架、以及设置于负导电支架上的LED芯片和齐纳二极管;齐纳二极管靠近LED芯片设置,且齐纳二极管与LED芯片之间的高度差小于齐纳二极管与正导电支架之间的高度差;LED芯片等会说。

...抗辐照金属外壳及其制备方法专利,实现芯片辐照防护,降低制作成本本发明属于航天电子元器件抗辐照技术领域,尤其是一种抗辐照金属外壳及其制备方法。本发明该外壳包括壳体,壳体内设置有陶瓷基板,陶瓷基板上设有用于安装芯片的凸台,凸台上罩设有钽帽,凸台的底部设有钽板。本发明实现了芯片辐照防护,且无需制备专门的抗辐照芯片,降低了制作成等我继续说。

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