什么是电压效应_什么是电子邮件

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河南卓正电子科技取得电池供电装置过程电压检测专利,具有检测准确...河南卓正电子科技有限公司取得一项名为“一种电池供电装置过程电压检测电路及方法“授权公告号CN113640681B,申请日期为2021 年8 月。专利摘要显示,本发明属于电池电压检测技术领域,具体涉及一种电池供电装置过程电压检测电路,包括相互电性连接的场效应管、三极管、第等我继续说。

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...先进半导体申请碳化硅场效应晶体管相关专利,提高栅极沟槽的击穿电压金融界2024 年8 月30 日消息,天眼查知识产权信息显示,安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为“碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功还有呢? 源极层;第二掺杂第一子区域设置于源极沟槽底部远离所述源极层的一侧,且朝向第一掺杂衬底层的方向延伸。可以提高栅极沟槽的击穿电压。

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华峰测控取得场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路和方法...金融界2024年7月11日消息,天眼查知识产权信息显示,北京华峰测控技术股份有限公司取得一项名为“场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路和方法“授权公告号CN108761284B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示,本发明公开了一种场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流等会说。

...电路专利,有效实现基于光电效应及电压变化的冷凝器风扇状态监测机制且MOS 管与发光二极管分别连接空调压缩机的原启动电路;由发光二极管与第三三极管构成状态监测输出模块,发光二极管的光电效应作用于第三三极管,并配合车载电源改变风扇运转输出反馈端的高低电平输出状态。本发明有效实现了基于光电效应及电压变化的冷凝器风扇状态监测机还有呢?

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...制作方法专利,使器件可以在低电压下触发雪崩效应,提高光子探测效率第一深阱包括具有第一折射率的第一材料。第二深阱与内嵌掺杂层的顶面邻接,并与第一深阱相间隔,且第二类型与第一类型相反。第二深阱包括具有第二折射率的第二材料,且第二折射率大于第一折射率。通过异质界面光波导技术增强雪崩区电场,使器件可以在低电压下触发雪崩效应,提等会说。

...制备方法专利,提高了GaN基HEMT的击穿电压并且抑制了电流崩塌效应通过在器件栅极靠近漏极一侧引入栅极p‑GaN帽层终端延伸结构,优化器件关断状态下的栅极电场分布,从而提高了GaN基HEMT的击穿电压并且抑制了电流崩塌效应。借助仿真验证,引入栅极p‑GaN帽层终端延伸结构后,器件的关态电场分布得到了改善,关态电场的峰值下降了超过70%后面会介绍。

华为公司申请场效应晶体管专利,降低集成电路的工作电压,使集成电路...第二掺杂层与第四掺杂层属于同一掺杂类型,第一掺杂层与第二掺杂层属于不同的掺杂类型。通过在场效应晶体管中设置第一冷源极和第二冷源极,通过调整第一冷源极或第二冷源极的载流子态密度,可以降低场效应晶体管的亚阈值摆幅,进而降低集成电路的工作电压,使集成电路的功耗较说完了。

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三川智慧取得电磁水表供电电压调节电路专利,保证输出电压稳定确保...金融界2024 年8 月8 日消息,天眼查知识产权信息显示,三川智慧科技股份有限公司取得一项名为“电磁水表供电电压调节电路“授权公告号CN112817360B,申请日期为2021 年2 月。专利摘要显示,本发明提供一种电磁水表供电电压调节电路,包括:第一场效应管、第二场效应管、储能后面会介绍。

高通公司申请LDO电压调节器专利,该专利技术能在从第一操作模式到...高通股份有限公司申请一项名为“具有电压跌落补偿电路的低压差(LDO)电压调节器“公开号CN117120954A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示,本公开涉及一种装置,该装置包括:耦合在第一电压轨与负载之间的第一组一个或多个场效应晶体管(FET);耦合在第一电压轨与负载之间的等会说。

荣耀公司取得氮化镓技术专利,解决了适当的阈值电压和低导通电阻...本申请实施例提供一种氮化镓异质结场效应晶体管、制造方法和电子设备,涉及半导体技术领域。氮化镓异质结场效应晶体管解决了适当的阈值电压和低导通电阻不可兼得的问题,以及栅极漏电流较大的问题。氮化镓异质结场效应晶体管包括:沟道层及势垒层,势垒层设置于沟道层的一侧等会说。

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