如何有效减缓短沟道效应

...导体储存器结构及其字线制造方法专利,采用新技术有效防止短沟道效应可以增加MOS管源极与漏极之间的距离,从而使得MOS管具备更长的沟道,有效防止短沟道效应。本发明可以在同样的字线密度下增加字线与字线之间的有效距离,从而降低字线与字线之间的耦合。本发明中相邻两条字线的底端偏离方向相反,可以使得晶体管之间的耦合明显降低。本文源等会说。

...大学申请垂直顶栅二维薄膜场效应晶体管专利,能够在抑制短沟道效应...且栅极靠近二维薄膜的一端与二维薄膜之间存在间隙。本发明实施例提供的垂直顶栅二维薄膜场效应晶体管,栅极覆盖于第一栅介质层的顶面和侧面,从而在第一栅介质层侧面形成垂直顶栅结构,实现垂直顶栅结构和水平的二硫化钼沟道,能够在抑制短沟道效应的同时实现更小的横向尺寸等我继续说。

...其形成方法专利,有助于减少晶体管中的短沟道效应,减少电极漏电现象选择性沉积高K介质材料于所述沟槽的内壁,形成仅覆盖所述沟槽的内壁的第一介质层;于所述沟槽内形成覆盖于所述第一介质层表面的填充材料。本公开有助于减少晶体管中的短沟道效应,减少电极漏电现象,而且还能够减少介质层的量子隧穿效应,且简化了半导体结构的制造工艺。本文源等我继续说。

╯﹏╰

...取得晶体管及其形成方法、半导体器件专利,改善晶体管的短沟道效应从而可形成与栅极结构的边界形貌相对应的曲折形导电沟道。与传统的具有直线形导电沟道的平面型晶体管相比,本发明中的晶体管能够在尺寸与传统的平面型晶体管的尺寸相同的情况下,增加导电沟道的沟道长度,以改善晶体管的短沟道效应,进而有利于实现晶体管尺寸的缩减和提高晶好了吧!

...该半导体结构具有较少的短沟道效应,且接触电阻较小,能够避免由于...漏极与漏极区接触;源极和漏极均具有齿状部;第一接触插塞和第二接触插塞;第一接触插塞和第二接触插塞分别位于栅极结构的两相对侧,且分别与源极的齿状部和漏极的齿状部连接。该半导体结构具有较少的短沟道效应,且接触电阻较小,能够避免由于驱动电流较小而对性能产生的影响。..

∪▂∪

原创文章,作者:天源文化企业宣传片拍摄,如若转载,请注明出处:https://cctv22.cn/04ksev6b.html

发表评论

登录后才能评论