怎样自己制作隔断墙_怎样自己制作相册

中芯集成-U申请沟槽型MOSFET及其制作方法专利,提高离子注入机台...本发明提供一种沟槽型MOSFET的制作方法。该沟槽型MOSFET的制作方法包括:提供基底,基底的第一阱区顶部具有导电类型相反的第一掺杂区和第二掺杂区,第一掺杂区从第一方向隔断第二掺杂区;在基底顶部形成沟槽,沟槽沿第二方向伸长且贯穿第二掺杂区,沟槽的深度大于第一掺杂区后面会介绍。

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京东方A申请显示面板及其制作方法、以及显示装置专利,可提升显示画质京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“显示面板及其制作方法、以及显示装置“公开号CN117501354A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示,一种显示面板及其制作方法以及显示装置。显示面板包括:衬底基板(110);导电连接件(200),导电连接件(200)包含隔断结构(230);发光功还有呢?

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京东方A取得阵列基板及其制作方法、三维显示面板及显示装置专利,...本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、三维显示面板、显示装置。该阵列基板包括多个阵列排布的子像素;每一子像素包括交替排列的第一复合区和第二复合区,且每一子像素包括:基板;隔断部,形成在第二复合区;像素电极,包括形成在第一复合区的第一复合电极,以及形成在隔断部上的小发猫。

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