去哪制作mems_全能战争模拟器-天源文化企业宣传片拍摄

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原位芯片取得用于微观原位观察的 MEMS 加热芯片及其制作方法专利,...金融界2024年8月12日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州原位芯片科技有限责任公司取得一项名为“一种用于微观原位观察的MEMS 加热芯片及其制作方法“授权公告号CN109665485B,申请日期为2018 年12 月。专利摘要显示，本发明提出了一种用于微观原位观察的MEMS 加热还有呢？

敏芯股份获得发明专利授权:“MEMS传感器的制作方法及MEMS传感...证券之星消息，根据企查查数据显示敏芯股份(688286)新获得一项发明专利授权，专利名为“MEMS传感器的制作方法及MEMS传感器”，专利申请号为CN202311727841.8,授权日为2024年2月20日。专利摘要：本发明公开了一种MEMS传感器的制作方法及MEMS传感器，其中，所述方法包括等我继续说。

中芯集成-U申请MEMS器件及其制作方法专利,提高MEMS器件的可靠...金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“MEMS器件及其制作方法“公开号CN117303307A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明提供一种MEMS器件及其制作方法。所述MEMS器件的制作方法包括：提供衬底；在是什么。

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敏芯股份申请MEMS芯片封装结构及制作方法专利,提高了MEMS芯片...金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为“一种MEMS芯片封装结构及制作方法“公开号CN117509534A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示，本发明提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二好了吧！

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敏芯股份取得声电转换结构及其制作方法、麦克风专利,提升MEMS...在第一绝缘层远离固定电极层的一侧分别制作第三绝缘层和振动电极层；在衬底背离背极板的一侧，对衬底进行刻蚀形成背腔；通过声孔处将部分的第三绝缘层刻蚀掉，得到声电转换结构。本发明的技术方案能够提升MEMS传感器的性能。本文源自金融界

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武汉高芯科技申请一种集成超透镜的红外探测器及其制作方法的专利,...具体涉及一种集成超透镜的红外探测器及其制作方法，包括基底以及盖板，所述基底上设置有多个MEMS 像元结构，所述盖板上设置有多个深腔，所述盖板与所述基底键合并且各所述MEMS 像元结构被一一对应地封装在各所述深腔中；所述盖板上正对各所述MEMS 像元结构的部分均为超透小发猫。

华为公司申请MEMS扬声器专利,使得MEMS扬声器在全频段的声压级...金融界2023年12月29日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“一种扬声器模组、电子设备、MEMS扬声器及其制作方法”，公开号CN117319906A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本申请实施例公开了一种扬声器模组、电子设备、MEMS扬声器及其制作方说完了。

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华为公司申请MEMS扬声器专利,提升了MEMS扬声器的声压级性能金融界2023年12月29日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“一种扬声器模组、电子设备、MEMS扬声器及其制作方法“公开号CN117319905A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本申请实施例公开了一种扬声器模组、电子设备、MEMS扬声器及其制作方等我继续说。

敏芯股份取得MEMS芯片封装技术专利,实现了活动结构的有效保护金融界11月17日消息，据国家知识产权局公告，苏州敏芯微电子技术股份有限公司取得一项名为“MEMS芯片封装结构及其制作方法“公开号CN117069054A,专利申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明提供了一种MEMS芯片封装结构及其制作方法，简化了工艺难度，实现了活动结小发猫。

芯动联科申请一种三轴MEMS加速度传感器及其Z轴感测单元的制造...本发明公开一种三轴MEMS加速度传感器，由X、Y、Z三个独立的感测单元构成，X、Y轴感测单元均由外延多晶硅单独制作；Z轴感测单元由外延多晶硅和下层多晶硅共同制作，下层多晶硅通过Z轴电极锚点固定在衬底上，作为Z轴固定电极，外延多晶硅作为Z轴可动电极，由于MEMS结构只通过后面会介绍。

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